Általánosságban anyagtudománynak nevezzük azt a területet, amely
A természetben az anyagok nem atomos állapotban fordulnak elő, hanem halmazokat alkotnak. A halmazban a részecskék között különböző jellegű kötések alakulnak ki. A kötések létrejötte egy alacsonyabb energiát jelent az anyag számára, mintha az atomos állapotban létezne. A továbbiakban a részecskék között kialakuló kötések jellegét tanulmányozzuk.
A kémiai kötéseknek két nagy csoportja van:
Nézzük részletesebben ezeket a kémiai kötéseket!
Az elsőrendű kémiai kötések kötési energiája 1eV-5eV lehet.
Ionkötés kis és nagy elektronegativitású atomok halmazai közötti kölcsönhatáskor alakul ki. Legismertebb ionkötésű vegyület a konyhasó, kémiai nevén nátrium-klorid.
Nátrium-atom
Klór-atom
Ha ez a két atom egymás közelébe kerül, akkor a nátrium-atom azáltal stabilizálódik, hogy leadja az elektronján, a klór pedig akkor kerül alacsonyabb energetikai állapotba, ha ezt felveszi.
Na − e− → Na+ Cl − e− → Cl− |
![]() |
Az így kialakuló ellentétes töltésű ionok között fellépő elektromos vonzóerő tartja össze ionrácsos anyagok kristályrácsát. |
Kovalens kötésről akkor beszélünk, ha két atomtörzset közös elektronfelhő kapcsol össze.
A legegyszerűbb példa a kovalens kötésre a hidrogénmolekula, amely két protonból és két elektronból áll.
Általánosan:
![]() |
|
![]() |
|
A szilárd anyagoknak kettő nagy csoportja van:
Amorf anyagok
Kristályos szilárd anyag
A legtöbb kristályos anyag szerkezete nem tökéletes.
Minden rácshiba módosítja az anyag tulajdonságát.
Az energiasávok fogalma nagy segítséget jelent a szilárd anyagok számos tulajdonságának a megértésében.
Induljunk ki a következőből:
Az energiasávok betöltöttsége határozza meg, hogy egy anyag vezető vagy szigetelő.
Szigetelők
Vezetők
A félvezetők olyan anyagok, amelyeknél a tiltott sáv igen keskeny. Így az elektronok termikus energia következtében is könnyen feljuthatnak a vezetési sávba.
A félvezetőknek két fajtája van:
A keskeny tiltott sáv miatt az elektronok a termikus mozgás következtében feljuthatnak a vezetési sávba. Az ilyen kristályok alacsony hőmérsékleten szigetelők, magasabb hőmérsékleten vezetők. Ilyen pl. a tiszta szilícium-kristály.
Szilíciumkristály ionjai
![]() |
n-típusú félvezetők sávszerkezete |
p-típusú félvezető sávszerkezete |
![]() |
Mára a félvezető eszközök rendkívül nagy számban és fajtában terjedtek el a gyakorlatban. Közülük a legfontosabbak:
![]() |
![]() |
![]() |
Nyitóirányú karakterisztika
A dióda p-n átmenete kis feszültségen a diffúziós hatás miatt az áram útjában gátat képez.
Nyitóirányú feszültség növekedése esetén, ha a külső feszültség eléri a küszöbfeszültséget, a zárórétegben megindul az elektronok áramlása.
A küszöbfeszültség szilícium félvezető esetén 0,6 V, germánium félvezető esetén 0,2V.
A feszültség növekedés hatására az áram növekedése kezdetben exponenciális jellegű, később lineárissá válik. A görbült karakterisztika miatt meg kell különböztetni az egyenáramú és a differenciális ellenállást. Az egyenáramú ellenállás értéke a diódán eső pillanatnyi feszültség és a hatására átfolyó áram hányadosa:
A dióda áram-feszültség karakterisztikája
Ahol: | Um = munkaponti feszültség |
Im = munkaponti áram |
A differenciális ellenállás a karakterisztika adott m munkapontjához húzható érintő iránytangense. Ezt közelítőleg a feszültség kis megváltozásának és a hozzátartozó áramváltozásnak hányadosa:
Ahol: | dU = feszültségváltozás a munkapont körül, |
dI = áramváltozás a munkapont körül. |
Záróirányú karakterisztika
A dióda p-n átmenetére záró feszültséget kapcsolva, a p-n átmenetben a kiürített réteg szélessége nagyobb lesz. A kristály hőmérsékletének hatására kisebbségi töltéshordozók keletkeznek, amelyeket kialakult térerősség a határréteg irányába sodor, ami az átmeneten keresztül záróáramot hoz létre. Az előfeszített p-n átmenet értéke egy erősen hőmérsékletfüggő áramgenerátort alkot. Szilícium félvezetőn keresztül csak néhány nanoamper, germánium esetén mikroamper nagyságrendű áram áthaladása lehetséges.
A záróirányban előfeszített dióda egy kondenzátort alkot. Fegyverzetekként a p és az n réteg viselkedik, a köztük lévő kiürített záróréteg a dielektrikum. Mivel a kiürített réteg szélessége a rákapcsolt záróirányú feszültséggel nő, a dióda-kondenzátor kapacitása ezzel csökken, így olyan kondenzátor jön létre, amelynek a kapacitása a rákapcsolt feszültséggel arányos. Azt a diódatípust, amely ezt a hatást felhasználja, változó kapacitású diódának, vagy „varicap” diódának nevezzük.
Növelve a zárófeszültséget, a kiürített rétegben az elektromos térerősség akkora értéket érhet el, amely kiszakítja a kristálykötésből az elektronokat. A töltéshordozók megnövekedett száma miatt a záróirányú áram növekedni kezd. A szabad elektronok a nagy térerősség hatására gyorsulnak, mozgási energiájuk nő. A kristály atomjaiba ütközve a leadott energia újabb elektronokat szakít ki a kötésből, ami lavina-effektust eredményez, és a záróréteget hirtelen elárasztják az elektronok és a lyukak, az áram ugrásszerűen megnő. Az áram korlátozása nélkül a kristály túlmelegszik és tönkremegy. Ezt a jelenséget felfedezőjéről (Clarence Melvin Zener) Zener-effektusnak nevezik. Ezt a jelenséget feszültségstabilizációra lehet felhasználni. A Zener-effektust alkalmazó diódát Zener-diódának vagy stabilizátor-diódának nevezik.
Felépítése
Működése
A tranzisztor erősítő hatásának magyarázata
A félvezetődiódák p-n átmenet fontosságát nem lehet eléggé hangsúlyozni. Pl. a memóriachipek sok millió p-n átmenetet tartalmaznak egyetlen szilíciumfelületen, amely nem nagyobb, mint egy egyforintos.